一种于半导体基板中形成接触窗的方法，该方法包括：于一半导体基板中形成多个分别具有一突出部的沟槽栅极；于该半导体基板上沉积一停止层，并令其延伸至所述突出部上，其中该停止层沿着所述突出部的各侧壁延伸的部分分别被一间隙壁所覆盖；通过该停止层相对所述间隙壁有较高的蚀刻选择性以移除该停止层未被所述间隙壁覆盖的部分，进而在相邻的突出部间形成开口，且在各侧壁上形成一L型部位，然后通过微影制程形成自我对准接触窗。