本发明公开一种半导体结构及其制造方法。该制造方法包括提供具有晶胞区与周边区的基底。在基底的晶胞区上形成堆叠结构以及在基底的周边区上形成电阻器，其中堆叠结构包含栅氧化层、浮置栅极以及第一间隙壁。在堆叠结构的两侧的基底中形成至少两个掺杂区。在基底上依序形成介电材料层与导体材料层。在基底上形成图案化光致抗蚀剂层，图案化光致抗蚀剂层覆盖堆叠结构及部分电阻器。移除未经图案化光致抗蚀剂层覆盖的介电材料层与导体材料层，以于堆叠结构上形成栅间介电层以及控制栅极，同时在电阻器上形成金属硅化物阻挡层。