本发明提供了一种铜互连结构的制造方法及半导体结构，其中，所述铜互连结构的制造方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆上形成有第一氧化硅层，所述第一氧化硅层中形成有第一氮化硅层，所述第一氮化硅层中形成有第一铜线；提供第二晶圆，所述第二晶圆上形成有第二氧化硅层，所述第二氧化硅层中形成有第二铜线；将所述第一氧化硅层及第二氧化硅层键合在一起，所述第一铜线和所述第二铜线形成铜互连结构。本发明中的铜互连结构的制造方法及半导体结构能够防止键合工艺所形成的铜互连结构脱落。