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半导体结构及其制造方法
编号:S000018920 刷新日期: 有效日期至:2020-10-06 浏览:2464 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括对组的第一芯片和第二芯片;第一芯片包括相互平行设置的N条第一导线、M条第二导线于第一导线上方、N条第三导线垂直于第二导线上方并与第一导线平行、N个第一通孔分别连接第一导线、M组第二通孔分别连接第二导线、和N组第三通孔分别连接第三导线。其中,第二导线和第一导线形成一重叠区域;第三导线和N组第三通孔都至少分成两部份,分别位于重叠区域中一对角方向的第一区域和第三区域;M组第二通孔亦分成两部份,分别位于另一对角方向的第二区域和第四区域。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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