本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基底、第一及第二外延层以及一栅极结构。基底具有一第一掺杂区及位于其上的一第二掺杂区，其中第一及第二掺杂区具有一第一导电类型，且第二掺杂区内具有至少一第一沟槽及与其相邻的至少一第二沟槽。第一外延层设置于第一沟槽内，且具有一第二导电类型。第二外延层设置于第二沟槽内，且具有该第一导电类型，其中第二外延层具有一掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度，且小于第一掺杂区的掺杂浓度。栅极结构设置于第二沟槽上方。