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> 技术详情
碳化硅半导体装置的制造方法
编号:S000018908
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-01
浏览:
2498
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及碳化硅半导体装置的制造方法。提供一种半导体装置,能够在碳化硅肖特基二极管的制造中,使二极管的正向特性特别是势垒高度φB稳定,使漏电流的偏差减少。在外延层(2)上利用干式热氧化形成硅氧化膜OX1,在SiC基板(1)的背面形成欧姆电极(3),之后,对SiC基板(1)进行退火,在欧姆电极(3)和SiC基板(1)的背面之间形成欧姆接合,除去硅氧化膜OX1,之后,在外延层(2)上形成肖特基电极(4)。之后,进行烧结,在肖特基电极(4)和外延层之间形成肖特基接合。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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