本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括一衬底、一叠层结构及一掺杂层；叠层结构形成于衬底上，其中叠层结构包括多条导电条纹及多条绝缘条纹，该多条导电条纹之一位于相邻二绝缘条纹之间，叠层结构具有一第一侧壁，第一侧壁的长边沿一通道方向延伸；掺杂层形成于第一侧壁中，掺杂层是由一离子注入作用于第一侧壁所形成，其中离子注入的一注入方向与第一侧壁夹一锐角。