本发明公开了一种半导体元件、其制造方法及其操作方法。半导体元件包括一衬底、一第一阱、一第二阱、一第三阱、一第四阱、一底层、一第一重掺杂区、一第二重掺杂区、一第三重掺杂区及一场效电板。第一阱、第二阱、第三阱及第四阱设置于衬底上。第一阱、底层及第二阱包围第三阱，以使第三阱与衬底浮接。第一、第二、第三重掺杂区分别设置于第一阱、第二阱、第三阱内。场效电板设置于第一阱及第四阱的邻接处之上。