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半导体器件及其制作方法
编号:S000018897 刷新日期: 有效日期至:2020-10-31 浏览:2406 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提出了一种半导体器件及其制作方法,所述半导体器件至少包含具有不同应力类型的两个电阻器,所述电阻器通过上方有无应力层及应力层类型的差异来实现应力类型的不同,所述制作方法包括:利用另外的标记层对所述电阻器作不同标记;根据所述标记层,针对每一类型的电阻器的应力层分别制作掩膜板;利用所述掩膜板进行所述电阻器上方的应力层的制作。本发明通过设置对不同电阻器进行标记的标记层,简化了用于制作应力层的掩膜板的制作,从而使得大规模在电阻器上设置不同种类的应力层具有可行性。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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