本发明提供一种交叉点型的非易失性半导体存储装置，能够抑制由于潜行电流而引起的存储单元中包含的存储元件的电阻值的检测灵敏度低下。该非易失性半导体存储装置具有多个字线（2）、以与多个字线（2）立体交差的方式形成的多个位线（3）、以及由针对多个字线（2）与多个位线（3）的各个立体交差点设置的单元的集合体构成的交叉点单元阵列（1），单元的集合体包括：存储单元（4），该存储单元（4）包括存储元件，该存储元件进行根据电信号以可逆的方式在2个以上的状态下使电阻值变化的存储动作；以及偏移检测单元（5），具有比存储元件进行存储动作时的高电阻状态下的存储元件的电阻值高的固定的电阻值。