本发明提供一种具有抗静电放电能力的功率半导体器件的制造方法，包括如下步骤：提供有第一端、第二端和第三端的功率半导体器件，功率半导体器件由元胞阵列排布形成；所述三个端口中的任意一端口或多个端口分别连接一电阻，形成具有抗静电放电能力的功率半导体器件。本发明还提供一种具有抗静电放电能力的功率半导体器件。本发明通过功率半导体器件的三个端口中的任一端口或多个端口串联的电阻作为一种ESD防护组件来提升ESD能力，且串联电阻的大小通过对被保护器件版图结构稍作调整就能适应多种等级ESD需求，设计灵活度大。