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用于制冷或制热器件的P型半导体元件制作方法

编号：S000018879 刷新日期：有效日期至：2020-12-24 浏览：2302 次对接邀请：0次

意向价格：面议

所在区域：中国 - 贵州技术领域：智能制造 - 装备制造业

转让类型：技术转让

专利类型：发明专利技术成熟度：可以量产

供应描述

本发明公开了一种用于制冷或制热器件的P型半导体元件制作方法，其特征在于：该P型半导体元件由碲、铋、锑材料制成，先将碲、铋、锑材料粉碎并磨成2000目或2000目以上，然后将各材料按重量份计的配比进行配料得混合料，其配比为：碲50～60份、铋15～20份、锑25～30份。本发明的P型半导体元件在工作时两端的温差较大，经测试本发明的P型半导体元件在工作时其冷端与热端的温差达73～78度左右。所以本发明具有工作效率高、能耗较低的优点。本发明的P型半导体元件特别适合于用于制作半导体的制冷或制热器件。

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