一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区域和第二区域，半导体衬底表面具有绝缘层，第一区域表面具有第一开口，第一开口底部具有第一高K介质层，第一高K介质层表面具有伪栅极层，第二区域表面具有第二开口，第二开口底部具有第二高K介质层；在第二开口侧壁及第二高K介质层表面形成第二功函数层；在第二功函数层表面形成第二栅电极层，第二栅电极层的材料为铜；之后去除第一开口内的伪栅极层；再在第一开口侧壁及第一高K介质层表面依次形成第一功函数层；在第一功函数层表面依次形成第一阻挡层和第一栅电极层，第一栅电极层的材料为铝。所形成的互补型金属氧化物半导体管性能稳定。