提供具有铜内部互连的半导体设备及其制造方法。在一具体实施例中，在例如经前段加工的基板上制成有铜内部互连的半导体设备。该方法包括：形成铜层于基板上。该铜层由晶粒形成。该铜层经改质使得该经改质的铜层有约0.05微米以上的平均粒径。在该方法中，蚀刻该经改质的铜层以形成沿着该基板的线路以及由该线路向上延伸的通孔。