本发明公开了一种网状低能级p型聚合物半导体材料及其制备方法与应用。所述半导体材料的结构式如式Ⅰ所示。式Ⅰ中，Ar和R均选自烷基、芳香基和由所述烷基取代的所述芳香基中任一种，所述烷基为碳原子数为1～16的直链或支链烷基，所述芳香基为苯基、芴基、噻吩基、含氟苯基、含氮杂环基或含硅杂环基；X、Y均选自O、N、S和Se中任一种；h为1～7之间的自然数；m为5～100中任一自然数。本发明提供的式Ⅰ所示化合物可作为有机半导体光电材料，具体可用于制备有机半导体光电器件，如有机场效应晶体管，其作为有机半导体光电器件中的有机半导体材料层。本发明提供的化合物构筑的有机半导体光电器件的灵敏度高、准确性好、重复性好。