本发明公开了一种可自剥离的氮化物半导体材料生长方法，所述方法包括：步骤1，在氮化物生长衬底上涂覆混合有球形微粒物的胶体；步骤2，对涂覆得到的胶体层进行去球形微粒物处理，得到具有微形孔及微柱状的生长表层；步骤3，在所述生长表层上高温生长氮化物半导体材料，并在生长结束降温时得到自剥离的氮化物半导体材料。本发明所述自剥离实现方法避免了激光剥离等方法易出现损伤，工艺可控性差等问题，便于商业推广。