本发明提供了一种制作内建应力纳米线的方法、制作半导体器件的方法、以及所述方法制作的NWFET半导体器件，本发明所述方法采用后栅工艺（Gate-last），在进行栅极区域刻蚀时，NWFET区域侧面已有SiO₂层保护，这时栅极区域的NW 受到的反向应力方向是水平方向的，从而有效解决了美国专利US2011/0104860A1中出现的问题，即避免了半导体纳米线反向内建应力不在水平方向的问题，从而避免了半导体纳米线中间部位可能发生的错位，甚至断裂问题。