本发明公开了一种改善位线电容的半导体结构，包括一衬底、一存储器叠层结构、多条位线、一第一阶梯接触结构、一第一组晶体管结构以及一第一导电线；第一阶梯接触结构形成于衬底上；第一阶梯接触结构包括多层导电平面以及多层绝缘平面，此多层导电平面通过此多层绝缘平面分开，用以分层连接多条位线至存储器叠层结构；第一组晶体管结构形成于此多条位线通往此多层导电平面所经过的一第一区块中；第一组晶体管结构具有一环绕第一区块周围的第一栅极；第一导电线连接第一栅极，以控制第一栅极的电压。