本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括一多量子阱结构，所述多量子阱结构中势阱层的材料为InGaAsP，所述量子阱结构中势垒层的材料为InGaAlAs，所述多量子阱结构的周期数为K，K的范围是3～20，并且，本发明还公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括前述的有源区。本发明提供的半导体激光器具有更低的阈值电流，较高的特征温度，可实现无制冷工作；具有较高的微分增益，可提供TM模式激光输出；具有较大的导带带阶比，可同时实现对注入载流子进行有效的限制和载流子在阱间的均匀分布，提高激光器调制特性。