一种复合功率半导体器件，属于半导体器件技术领域。该器件将将LIGBT、LDMOS以及JFET集成在一起，其中LIGBT与LDMOS形成混合并联结构，LIGBT/LDMOS混合结构与JFET级联。LIGBT/LDMOS混合结构中，LIGBT和LDMOS共用栅极、LIGBT的n⁺阴极和LDMOS的n⁺源极共用、LIGBT的P⁺阳极和LDMOS的n⁺漏极交替相间分布；LIGBT/LDMOS混合结构的曲率部分为LDMOS结构；LDMOS和JFET共用n⁺漏极4，JFET的n⁺源极8做在N阱区6向所述LIGBT/LDMOS混合结构向外延伸的部分中。本发明兼具LIGBT的驱动能力强和LDMOS的速度快的特点，可提供较大的输出电流，其稳定性增强。Double-RESURF技术的采用、JFET的漏极和LDMOS的漏极共用使器件利用尽可能小的芯片面积是实现了高耐压和低导通电阻，基于此功率半导体器件的功率IC的制作成本大大降低。