本发明提供了一种第III族氮化物半导体发光器件，所述发光器件表现出沿着特定方向的高强度的光输出量以及改进的光提取性能。所述第III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；和层状结构，该层状结构具有设置在所述蓝宝石衬底上并且由第III族氮化物半导体形成的发光层。在所述蓝宝石衬底的层状结构侧的表面上，以一定周期形成凸起的二维周期性结构，所述周期性结构对于从所述发光层发射出的光生成光强度干涉图案。由所述二维周期性结构反射或透射的光具有干涉图案。因此，在所述干涉图案中光强度高区域会聚的光可以被高效地输出到外部，从而导致光提取性能的改进并实现了期望的方向特性。