本发明公开了一种半导体装置，其包括：多个第一外延层、一第二外延层以及一栅极结构。第一外延层叠置于一基底上，且具有一第一导电类型。每一第一外延层内具有至少一第一掺杂区及与其相邻的至少一第二掺杂区，第一掺杂区具有一第二导电类型，且第二掺杂区具有第一导电类型。第二外延层设置于第一外延层上，且具有第一导电类型。第二外延层内具有一沟槽，且一第三掺杂区邻近于沟槽的一侧壁，且具有第二导电类型。栅极结构设置于第二掺杂区上方的第二外延层上。本发明亦揭示一种半导体装置的制造方法。根据本发明实施例的半导体装置及其制造方法，能够避免导通电阻的增加，并可简化工艺及降低制造成本。