本发明涉及一种处理室中由汽相沉积在半导体晶片上沉积层的方法和设备，尤其是涉及一种在具有上盖和下盖的处理室中由汽相沉积在半导体晶片上沉积层的方法和设备。该方法包括：测量所述半导体晶片的前侧的温度；将半导体晶片加热至沉积温度；将所述处理室的上盖的温度控制为目标温度，其中上盖的温度在上盖的外表面的中心处测量，并作为用于控制上盖的温度的控制回路的受控变量的实际值；设定气体流量，用于沉积所述层的工艺气体以所述气体流量被引导通过所述处理室；以及在将所述处理室的上盖的温度控制为目标温度期间，在加热至沉积温度的半导体晶片的前侧沉积所述层。