本发明公开了一种半导体外延结构及其生长方法，该半导体外延结构包括：形成于硅衬底上的成核层；形成于所述成核层上的氮化物层，所述氮化物层包括第一氮化物层和第二氮化物层；位于所述第一氮化物层和第二氮化物层之间的插入层，所述插入层中包括铝铟氮，其中铟的组分小于18%。本发明在氮化物层中引入含有铟元素的插入层，同时整个外延结构都生长在高温条件下，避免了低温插入层引入的大量缺陷，晶体质量要好于低温插入层的结果。