本发明涉及集成电路制造，并且更具体地涉及的是金属栅极结构。CMOS半导体器件的一种示例性结构包括：包括邻近P有源区域和N有源区域并且将其分隔开的隔离区域的衬底；位于P有源区域上方并且在隔离区域上方延伸的P金属栅电极，其中，P金属栅电极包括P功函金属以及位于P功函金属和衬底之间的含氧TiN层；以及位于N有源区域上方并且在隔离区域上方延伸的N金属栅电极，其中，N金属栅电极包括N功函金属以及位于N功函金属和衬底之间的富氮TiN层，其中，在隔离区域上方，富氮TiN层与含氧TiN层相连接。本发明还提供了一种半导体器件的金属栅极结构。