一种半导体检测电路及检测方法，所述检测电路包括：电流输入端和电流输出端；位于所述电流输入端和电流输出端之间的两条串联电路，所述两条串联电路之间并联连接；每一个串联电路包括一个待检测MOS晶体管和一个参考MOS晶体管；其中一条串联电路通过待检测MOS晶体管与电流输入端相连接，另一条串联电路通过参考MOS晶体管与电流输入端相连接；所述待检测MOS晶体管的沟道区具有应力作用，所述参考MOS晶体管的沟道区不具有应力作用。在检测时，在所述电流输入端和电流输出端之间施加电流，通过测得所述两条串联电路中位于待检测器件和参考器件之间的电压差，获得不同应变硅技术对待检测器件的电学参数的影响。