本发明公开了一种槽型半导体功率器件，涉及槽型半导体功率器件技术领域，包括衬底层和有源层，所述有源层中形成有槽栅，槽栅纵向至少伸入到有源层中；在体接触区和漏区之间形成有阶梯型的介质槽，阶梯型的介质槽宽度较大的那一端更接近衬底层，介质槽分别与漏区和体接触区接触；介质槽中介质的介电系数小于有源层材料的介电系数；本发明具有以下优点：第一、器件耐压大大提高；第二、槽栅增大了器件有效拓展纵向导电区域和介质槽辅助耗尽漂移区，使得比导通电阻降低，进而降低功耗，同时栅槽也作为介质隔离槽，节省了隔离槽的面积；第三、介质槽折叠了漂移区以及在介质槽界面处的电荷积累区也是漏区或体接触区，大大缩小了器件尺寸。