本发明公开了一种宽禁带半导体柔性衬底的制备方法，特别是GaN、AlN、SiC单晶柔性衬底的制备方法，属于微电子技术领域。本发明将柔性衬底的理论引入宽禁带半导体同质外延衬底的制备工艺中，柔性衬底由宽禁带半导体柔性功能层和支撑衬底构成，柔性功能层的厚度为20~50nm。本发明的柔性衬底降低了外延材料的缺陷密度和应力水平，大幅度提高了外延材料的晶体质量，该方法制备的宽禁带半导体柔性衬底具有衬底尺寸大，易于产业化的优点。