提出了一种集成有静电放电保护模块和半导体晶体管的半导体器件及其制造方法。根据本发明的实施例，所述静电放电保护模块呈饼状，包括第一导电类型的中心掺杂区和围绕该中心掺杂区交替排布的多个第二导电类型掺杂区和第一导电类型掺杂区，所述中心掺杂区布满所述半导体晶体管的整个栅极金属焊盘部分的下方并与之耦接，所述半导体晶体管的源极金属耦接所述静电放电保护模块中最外围的第一导电类型掺杂区。该静电放电保护模块不仅可以保护所述半导体晶体管的栅氧化层不受静电放电的损害，而且具有较小的串联电阻及改善的电流均衡性。