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一种石墨烯/无机半导体复合薄膜及其制备方法
编号:S000018796 刷新日期: 有效日期至:2020-10-19 浏览:2880 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种石墨烯/无机半导体复合薄膜及其制备方法。该制备方法包括:以氧化或还原石墨烯和无机半导体前驱物作为主要原料,采用溶胶-凝胶法或水热/溶剂热合成法,以石墨烯的表面功能基团作为成核点,利用成核点控制无机半导体的尺寸,形貌及结晶性能,制备均匀的复合薄膜。本发明制备的复合薄膜利用石墨烯表面的功能基团,与无机半导体形成氢键、离子键或共价键,无机半导体的存在提高了石墨烯片之间的分散性,弥补了石墨烯的表面缺陷,提高了石墨烯的导电性和均匀性,改善了石墨烯与半导体纳米颗粒的界面几何接触和能级匹配,扩大了器件的应用范围,适用于太阳能电池、传感器、有机发光二极管(OLED)、触摸屏等光电领域。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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