本发明的岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。以闪锌矿结构的Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒为初始原料，在压力5.0～7.0GPa，温度600～800℃下，保压30～50分钟，冷却卸压得到岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒。本发明利用高温高压方法合成了岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒；岩盐矿CdS稀磁半导体的禁带宽度为1.5～1.7eV，并且是一种间接带隙半导体，通过岩盐矿和闪锌矿结构结合，带隙可以由近紫外到远红外整个光谱区内连续变化，同时因为它具有室温铁磁性，将是各种光电子和磁光器件的理想材料。