本发明涉及一种用于通过直接转换半导体层（4）来转换X射线辐射（5）的方法，该半导体层具有上表面（6）和在半导体层（4）的厚度上延伸的侧面边界面（7）。X射线辐射（5）穿过上表面（6）入射到半导体层（4）内，同时红外线辐射（3）平行于上表面（6）地穿过至少一个侧面边界面（7）透射半导体层（4）。在该方法中如下地设定红外线辐射（3）的强度轮廓（10、11）：使红外线辐射（3）的强度从上表面（6）开始关于半导体层（4）的厚度降低。借助上述方法和附属设备，通过直接转换半导体层实现了对X射线探测器调整的改善，这导致在X射线成像中更少的图像伪影。