本发明是一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其工艺包括：一、正常进行半导体器件的部分正面工艺；二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；三、在半导体材料上的对准标记区域形成一层耐刻蚀金属膜；四、采用干法刻蚀方法处理半导体材料表面及耐刻蚀金属膜；五、进行钝化介质生长；六、过刻蚀钝化介质及对准标记区域；七、使用酸性溶液处理经过过刻蚀工艺的半导体材料及耐刻蚀金属膜；八、进行去胶；九、进行光刻工艺。优点：解决了对准标记损坏而不能被光刻系统识别或者由于对准标记分辨率太低导致光刻精度降低的问题；保持了良好的表面形貌，保证了半导体器件的光刻工艺精度。