本发明涉及半导体激光器技术领域，提出了一种适用于倒焊装的半导体激光器芯片结构，主要包括：衬底层1，缓冲层2，N型包覆层3，下波导层4，有源区5，上波导层6，P型包覆层7，过渡层8，P型接触层9，脊型台面10，电流限制沟道11，分离沟道12。本发明能够提高半导体激光器管芯与焊料以及热沉的接触面积，提高管芯的抗压能力和散热能力，避免由于焊料爬升引起的短路现象。