本发明涉及一种实现集成电路隔离的方法，更确切的说，本发明旨在提供一种具有隔离结构的半导体衬底及其制备方法。在半导体衬底中形成沟槽，并在沟槽侧壁和底部上覆盖介质层，在沟槽底部的介质层上开设开口，将填充材料填充在沟槽内并掺杂有高浓度掺杂物，透过开口将掺杂物扩散至沟槽底部附近的半导体衬底内形成扩散区，隔离结构包含了填充材料及介质层和扩散区。