一种铜钛合金制溅射靶，Ti为3原子%以上且小于15原子%，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，其特征在于，靶的面内方向的硬度的偏差(标准差)为5.0以内，电阻的偏差(标准差)为1.0以内。本发明提供用于形成半导体用铜钛合金制布线的溅射靶、半导体用铜钛合金制布线以及具备该半导体布线的半导体元件和器件，所述溅射靶使半导体用铜合金布线自身具有自扩散抑制功能、能够有效地防止由活性Cu的扩散导致的布线周围的污染、并且使耐电迁移(EM)性、耐腐蚀性等提高、能够任意且容易地形成阻挡层、而且能够使膜特性均匀化。