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> 技术详情
耗尽型功率半导体器件及其制造方法
编号:S000018772
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-09
浏览:
2452
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 浙江
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供了一种耗尽型功率半导体器件及其形成方法,所述器件包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底上的第一掺杂类型的外延层;形成于所述外延层内的第二掺杂类型的阱区,所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反,所述阱区的表面具有第一掺杂类型的反型层;依次位于所述外延层上的栅介质层和栅电极,所述阱区横向延伸至所述栅电极下方的距离为0.75×Xj+b,其中Xj为所述阱区的结深,-2μm≤b≤5μm。本发明工艺制程简单、成本低、阈值电压可控性好。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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