本发明提供了一种耗尽型功率半导体器件及其形成方法，所述器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的第二掺杂类型的阱区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，所述阱区的表面具有第一掺杂类型的反型层；依次位于所述外延层上的栅介质层和栅电极，所述阱区横向延伸至所述栅电极下方的距离为0.75×Xj+b，其中Xj为所述阱区的结深，-2μm≤b≤5μm。本发明工艺制程简单、成本低、阈值电压可控性好。