本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种光导半导体开关结构，包括基片，所述基片的顶端面设置有第一碳化硅薄膜，所述第一碳化硅薄膜的顶端面的两侧分别设置有电极，所述电极的顶端面设置有第二碳化硅薄膜，该第二碳化硅薄膜覆盖于电极之间的间隙及电极的顶端面的部分区域。本发明采用在电极的顶端面设置一层碳化硅薄膜以增加碳化硅薄膜与电极的接触面积，从而使得导通电流可以从电极的两个表面流通，同时实现光导半导体开关的击穿电压和导通电流的提高，以及暗电流的降低。