本发明公开了一种半导体结构，半导体结构包括：外延区域、栅极结构、接触隔离件、和蚀刻停止层。外延区域位于衬底中。外延区域的顶面高于衬底的顶面，并且外延区域具有在衬底的顶面和外延区域的顶面之间的小平面。栅极结构位于衬底上方。接触隔离件横向位于外延区域的小平面和栅极结构之间。蚀刻停止层位于接触隔离件的每个和外延区域的顶面上方并且邻接接触隔离件的每个和外延区域的顶面。接触隔离件的蚀刻选择性与蚀刻停止层的蚀刻选择性的比率等于或小于3∶1。本发明还提供了用于半导体结构接触的隔离件。