本发明公开了一种改善半导体器件良率的方法，通过在NMOS栅极离子注入工艺完成后，先沉积一PEOX膜，再沉积一LTO膜，克服了现有技术中由于进行热退火工艺，使得注入NMOS上的栅极结构中的离子扩散至PMOS的栅极结构中，从而影响PMOS电学性能的问题；也克服了由于PEOX膜非常疏松，导致注入NMOS的栅极中的离子聚团析出在栅极表面，从而在后续的刻蚀工艺完成后，损伤NMOS有源区的问题；同时又克服了由于LTO膜张应力大，对下层膜敏感，会受到表面原子扩散速率的影响，而导致NMOS和PMOS上所沉积的LTO膜的厚度不同，影响后续的刻蚀工艺，导致半导体器件良率的降低的问题，从而提高了半导体器件的良率。