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> 技术详情
改善半导体器件良率的方法
编号:S000018768
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-05
浏览:
3456
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种改善半导体器件良率的方法,通过在NMOS栅极离子注入工艺完成后,先沉积一PEOX膜,再沉积一LTO膜,克服了现有技术中由于进行热退火工艺,使得注入NMOS上的栅极结构中的离子扩散至PMOS的栅极结构中,从而影响PMOS电学性能的问题;也克服了由于PEOX膜非常疏松,导致注入NMOS的栅极中的离子聚团析出在栅极表面,从而在后续的刻蚀工艺完成后,损伤NMOS有源区的问题;同时又克服了由于LTO膜张应力大,对下层膜敏感,会受到表面原子扩散速率的影响,而导致NMOS和PMOS上所沉积的LTO膜的厚度不同,影响后续的刻蚀工艺,导致半导体器件良率的降低的问题,从而提高了半导体器件的良率。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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