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> 技术详情
具有横向元件的半导体器件
编号:S000018762
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-05
浏览:
2232
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种具有横向元件(7,8)的半导体器件,该半导体器件包括半导体衬底(11,60)、所述衬底(11,60)上的第一和第二电极(19,32,20,33)、以及从所述第一电极(19,32)延伸至所述第二电极(20,33)的电阻性场板(21,34)。所述横向元件(7,8)传送所述第一与第二电极(19,32,20,33)之间的电流。施加至所述第二电极(20,33)的电压小于施加至所述第一电极(19,32)的电压。所述电阻性场板(21,34)具有第一端部和与所述第一端部相对的第二端部。所述第二端部设置得比所述第一端部更靠近所述第二电极(20,33)。所述第二端部中的杂质浓度等于或大于1×10
18
cm
-3
。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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