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半导体结构及其制作方法
编号:S000018761 刷新日期: 有效日期至:2020-11-12 浏览:2423 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种半导体结构及其制作方法。本发明所提供的半导体结构包括基底和形成于所述基底上的介质层,所述介质层包含位于第一区域的第一介质及位于第二区域的第二介质,所述第一介质包围所述第二介质并与所述第二介质相接而形成相接界面,所述第一介质和/或所述第二介质内形成有保护带。由于在介质内形成有保护带,保护带可释放和消除介质在相接界面附近的应力,防止第一介质与第二介质在相接界面处出现剥离、破裂或者断裂的现象,解决了上述半导体结构为基础的MEMS组件因出现上述现象而坏掉的问题。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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