本发明涉及一种晶圆级半导体器件及其封装方法，半导体器件中一个第二芯片叠设在一个第一芯片上，并使第二芯片背面的部分电极导电粘接在第一芯片正面的部分电极上，使这些电极之间形成电性连接；另外，在封装时可以使两个芯片正面的锡球外露，简化操作，或者将锡球全包封后再研磨暴露，以进一步减小半导体器件的高度，有效减少器件尺寸。本发明中通过在晶圆进行背面金属化处理，能够将第一芯片的背面暴露出来，从而有效改善器件的散热效果。