本公开涉及半导体器件及其制造方法。在基于SiC的MISFET及其制造工艺中，在引入杂质之后，需要极高温度的激活退火。因此，难以频繁使用在基于硅的MISFET的制造工艺中所执行的自对准工艺。这导致了以下问题：要控制器件的特性，高精度的对准技术是不可缺少的。根据本发明，在诸如使用基于碳化硅的半导体基板的基于SiC的垂直功率MISFET之类的半导体器件及其制造方法中，沟道区、源区和栅极结构以相互自对准的关系形成。