本发明揭露一种具有封装隔离区域的半导体装置及其制造方法，其中，该装置及其制造方法作为具有封装隔离区域的半导体装置结构。制造半导体装置结构的示范方法涉及下列步骤：在相邻于半导体材料的第一区域的半导体衬底中形成第一介质材料的隔离区域，形成覆盖于该隔离区域与该第一区域的第二介质材料的第一层，且去除覆盖于该第一区域残留完整覆盖于该隔离区域的第二介质材料部分的该第二介质材料。该隔离区域相对于该第一区域凹入，且该第二介质材料相较于该第一介质材料更能抵抗蚀刻剂。