本发明公开一种具快速反应速度的金属氧化半导体P-N接面二极管及其制作方法。该二极管包含有半导体基板、掩模层、环形边缘层、栅极氧化层、多晶硅结构、中心导接层、氮化硅层、金属扩散层、通道区域以及金属溅镀层。而该方法包含下列步骤：在半导体基板上形成掩模层；在半导体基板上形成栅极氧化层，并于其上形成多晶硅结构；以离子注入制作工艺于半导体基板中形成环形边缘层、中心导接层、通道区域；在中心导接层的部分表面上形成凸出多晶硅结构的氮化硅层；在环形边缘层和中心导接层的内部形成金属扩散层；以及形成金属溅镀层并露出掩模层的部分表面。