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一种预测半导体器件NBTI寿命及其涨落的方法
编号:S000018741 刷新日期: 有效日期至:2020-12-29 浏览:2252 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种预测半导体器件NBTI寿命及其涨落的方法,仅用一个半导体器件即可预测出其最好寿命、最坏寿命和平均寿命。测试时间大大缩短,可以实现快速测量;另外,由于仅用一个半导体器件,避免了传统方法中DDV的影响,同时可以研究寿命在半导体器件之间的涨落;另外,本发明提出了最好寿命、最坏寿命和平均寿命,也即考虑了CCV的影响;最后,静态涨落的影响也可以考虑进来,进而可以全面的评价半导体器件性能的涨落。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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