一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供半导体基底，半导体基底上形成有焊垫层；形成覆盖所述半导体基底和焊垫层表面的钝化层，钝化层中具有暴露焊垫层表面的第一开口；在第一开口上形成凸下金属层；在凸下金属层上形成金属柱；刻蚀去除金属柱两侧的凸下金属层，金属柱底部剩余的凸下金属层的边缘具有向金属柱底部凹陷的底切缺陷；形成牺牲层，牺牲层填充所述底切缺陷；形成覆盖牺牲层、钝化层和金属柱的第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有暴露牺牲层一端表面的第三开口；沿第三开口去除所述牺牲层，形成空腔，所述空腔与第三开口连通；形成填补所述底切缺陷的补偿层，所述补偿层的材料为金属。本发明的方法提高了封装结构的可靠性和稳定性。