一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有焊垫层；形成覆盖所述半导体基底和部分焊垫层表面的钝化层，所述钝化层中具有暴露部分焊垫层表面的第一开口；在第一开口的侧壁和底部以及钝化层上形成凸下金属层；形成覆盖所述凸下金属层的第一掩膜层，所述第一掩膜层具有暴露第一开口上的部分凸下金属层的第二开口；在第二开口中形成金属柱；去除所述第一掩膜层；在金属柱的底部侧壁和部分凸下金属层表面上形成底层金属层；去除所述第二掩膜层；以金属柱和底层金属层为掩膜，刻蚀去除金属柱两侧的凸下金属层。本发明的方法防止金属柱下的凸下金属层产生底切缺陷。