本发明公开了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括衬底，该衬底包括金属氧化物器件。金属氧化物器件包括设置在衬底中并且在沟道区中界面连接的第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区掺杂有第一类型掺杂剂。第一掺杂区具有不同于第二掺杂区的掺杂剂浓度。金属氧化物器件还包括横跨沟道区和第一掺杂区和第二掺杂区的界面并且分离源极区和漏极区的栅极结构。源极区形成在第一掺杂区中，并且漏极区形成在第二掺杂区中。源极区和漏极区掺杂有第二类型的掺杂剂。第二类型的掺杂剂与第一类型相反的掺杂剂。本发明还提供了具有自对准互连件的半导体器件。